三温区PECVD系统设备特点：
1、温度控制精准：三温区设计使得系统能够实现更精准的温度控制，满足不同材料和工艺对温度的需求。通过三个PID温度控制器，可以分别控制不同区域的温度，确保整个沉积过程在理想的温度范围内进行。
2、沉积速度快：相比传统的化学气相沉积（CVD）技术，PECVD系统具有更高的沉积速率。这主要得益于等离子体的作用，使得反应气体在较低的温度下就能发生化学反应，从而加快了沉积速度。
膜层均匀性好：通过射频电源的频率控制，可以精确调节所沉积薄膜的应力大小，从而保证膜层的均匀性和一致性。这种精确控制对于制备高质量、高性能的薄膜材料至关重要。
3、操作稳定性高：三温区PECVD系统采用先进的真空系统和多通道质子混气系统，确保了系统的稳定性和可靠性。在长时间运行过程中，系统能够保持稳定的沉积速率和膜层质量，满足大规模生产的需求。
4、应用广泛：该系统可广泛应用于生长纳米线、石墨烯及薄膜材料等领域。例如，在太阳能电池领域，PECVD技术被用于制备高质量的硅基薄膜太阳能电池；在微电子领域，PECVD技术被用于制备各种薄膜材料，如SiO2、SiNx等。
三温区PECVD系统配置参数：
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规格型号① |
NBD-O1200-TS3-4ZD-PE |
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名称① |
CVD系统 |
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供电电源 |
380V 50HZ |
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| Tmax |
1200℃ |
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| 额定温度 |
1150℃ |
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触摸屏尺寸 |
7" |
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温区尺寸 |
200+200+200mm（三温三控） |
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加热额定功率 |
9KW |
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传感器类型 |
K型热电偶 | |||||||
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炉管材质及尺寸 |
石英管Φ80*1400mm |
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推荐升温速率 |
≤10/min | |||||||
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机械泵抽气速率 |
6立方米每小时 KF25 | |||||||
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炉腔极限真空度 |
3~5Pa 配数显真空计 |
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进气系统 |
四路质量流量控制器100sccm 200sccm 500sccm 500sccm |
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炉体外形尺寸 |
长1488*高1275*深760mm |
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规格型号② |
RF-500W |
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名称② |
等离子发生器 |
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射频频率 |
13.56MHz |
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射频功率输出范围 |
0-500W可调 |
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外形尺寸 |
长275mm×高380mm×深430mm | |||||||
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射频功率 |
500W |
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