可控硅静态综合测试设备
核心业务为半导体功率器件测试设主要有：

MOSFET参数测试设备：

静态参数测试（包括IGSS / B_VR / V_DS（Sat） / I_DSS / V_GSTH / V_F / R_DS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力测试，老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。

IGBT参数测试设备：

静态参数测试（包括I_GE / V_GE(th) / V_CEsat / V_F / I_CE / V_CE）；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。可控硅静态综合测试设备

二极管及可控硅/晶闸管（SCR）参数测试设备：

静态参数测试（包括I_GT/V_GT / I_H / V_TM / V_D/I_D / V_R/I_R / dv/dt / I_L ）；动态参数测试（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌参数测试I_TSM；di/dt测试；老化及可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试Rth。

产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等。
可控硅静态综合测试设备