检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

直流参数

MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品；

检测最大电压：7500V 检测最大电流：6000A

国标，IEC

雪崩能量

MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件

检测最大电压：2500V 检测最大电流：200A

美军标

栅极电阻

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件

检测阻抗：0.1Ω～50Ω

JEDEC

开关时间

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件；

检测最大电压：1200V 检测最大电流：200A

美军标，国标，IEC等

开关时间

IGBT等模块产品

检测最大电压：2700V 检测最大电流：4000A

国标，IEC

反向恢复

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

检测最大电压：1200V 检测最大电流：200A

美军标，国标，IEC等

反向恢复

IGBT等模块产品

检测最大电压：2700V 检测最大电流：4000A

国标，IEC

栅极电荷

MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件

检测最大电压：1200V 检测最大电流：200A

美军标，国标，IEC等